أكثر من عقد من تحسين النمو في نقل البخار الكيميائي (CVT) وكذلك نمو التدفق يؤدي إلى بلورات MoSe2 التي لا تشوبها عيوب. يتم منشط بلورات MoSe2 من نوع p مع ذرات Nb في نطاق 1E17-5E18cm-3. يتم معالجة هذه البلورات vdW MoSe2 المنشأة إلكترونياً كمعايير ذهبية في مجال المواد ثنائية الأبعاد. معروفة بلورات MoSe2 من 2Dsemiconductors بأدائها المتفوق Valley Electronic ، والتبلور المثالي ، والهيكل الخالي من العيوب ، وعرض النطاق الترددي PL الضيق للغاية ، وطيفات PL النظيفة (خالية من كتفي الإكستون المرتبطة) ، وحركة الناقل العالية. لقد استشهدنا الآلاف من المقالات العلمية واستخدموا هذه البلورات لدقة علمية وإشارات نظيفة. يرجى الاطلاع أيضًا على بلورات MoSe2 من نوع n و p المزودة بـ Au ، Re ، Nb ، أو ذرات المعادن الانتقالية الأخرى.

يرجى ملاحظة أن المنشطات في TMDCs تقلل بشكل كبير من وقت التبلور (سرعات النمو) ، وبالتالي تقيس TMDCs المنشطات الإلكترونية أصغر من TMDCs غير المنشطات (الجوهرية).

خصائص MoSe2 ذات بلورة واحدة